Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"Vijayaram Thoguluva Raghavan"'
Publikováno v:
2012 10th IEEE International Conference on Semiconductor Electronics (ICSE).
Pure Cu is prepared using by Powder Metallurgical (PM) method in order to study the impact of different sintering environment (with vacuum, N 2 and N 2 + H 2 ) and at different temperatures (1010 °C and 1080 °C) towards its surface and inner morpho
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::443cf75fb53935f2814aeebbe8ac6a04
https://doi.org/10.1109/smelec.2012.6417178
https://doi.org/10.1109/smelec.2012.6417178
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Sayuti, Muhammad, Sulaiman, Shamsuddin, Baharudin, B.T. Hang Tuah, Arifin, M.K.A, Vijayaram, Thoguluva Raghavan, Suraya, S.
Publikováno v:
Advanced Materials Research; January 2012, Vol. 445 Issue: 1 p475-480, 6p
Autor:
Sayuti, Muhammad, Sulaiman, Shamsuddin, Vijayaram, Thoguluva Raghavan, Baharudin, B.T. Hang Tuah, Arifin, M.K.A
Publikováno v:
Advanced Materials Research; August 2011, Vol. 311 Issue: 1 p3-8, 6p