Zobrazeno 1 - 10
of 39
pro vyhledávání: '"Verweij, Jan"'
Autor:
Lau, Rute Madeira, van Eupen, Jacques T.H., Schipper, Dick, Tesser, Godefridus I., Verweij, Jan, de Vroom, Erik *
Publikováno v:
In Tetrahedron 2000 56(38):7601-7606
Publikováno v:
Nature Neuroscience. Jul2004, Vol. 7 Issue 7, p745-750. 6p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Verweij, J.F., Verweij, Jan F.
Publikováno v:
Proceedings of the IEEE, 81(5), 675-681. IEEE
Several issue's regarding VLSI reliability research in Europe are discussed. Organizations involved in stimulating the activities on reliability by exchanging information or supporting research programs are described. Within one such program, ESPRIT,
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::69e5a66f4bd8a2c67cd7104f1866440f
https://doi.org/10.1109/5.220899
https://doi.org/10.1109/5.220899
Publikováno v:
Journal of the Electrochemical Society, 140(7), 2089-2097. The Electrochemical Society Inc.
The deposition of silicon (Si) from silane (SiH4) was studied in the silane pressure range from 0.5 to 100 Pa (0.005 to1 mbar) and total pressure range from 10 to 1000 Pa using N2 or He as carrier gases. The two reaction paths, namely,heterogeneous a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a06b095af1287944af0c6e3ac3b8b16e
https://doi.org/10.1149/1.2220770
https://doi.org/10.1149/1.2220770
Publikováno v:
Quality and reliability engineering international, 9(4), 309-313. Wiley
DC measurements and transmission line method measurements have been carried out on field oxide NMOSTs made in a 0-8 m CMOS process. Analysis shows that DC measurements can be applied for fast ESD related feedback to submicron process development.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::85dd05f4d1a1f9a85454f37c64b385f1
https://doi.org/10.1002/qre.4680090412
https://doi.org/10.1002/qre.4680090412
Publikováno v:
Microelectronics reliability, 35(1), 101-103. Elsevier
This paper describes the outcome of a study into the feasibility of a reliability circuit simulator for ICs in general and the critical parameters involved in particular. The necessary conditions are formulated that have to be fulfilled before any co
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::226cd2449ae88f363b95a9ae08609907
https://doi.org/10.1016/0026-2714(94)p1835-z
https://doi.org/10.1016/0026-2714(94)p1835-z
Autor:
Bijlsma, S.J., Bijlsma, Sipke J., van Kranenburg, H., Nieuwesteeg, K.J.B.M., Pitt, Michael G., Verweij, Jan F., Verweij, J.F.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices, 43(9), 1592-1601. IEEE
Electrical breakdown, both intrinsic and extrinsic, of thin film diodes used as switches in active matrix addressed liquid crystal displays has been studied using electrical measurements, thermal measurements, thermal 3D simulations, electrical simul
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::968f2b6f7e6fcc534494d0b1a62515c7
https://research.utwente.nl/en/publications/67926c31-bb5f-4032-82fb-54c2fd85944d
https://research.utwente.nl/en/publications/67926c31-bb5f-4032-82fb-54c2fd85944d
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.