Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"Vertical GaN devices"'
Publikováno v:
e-Prime: Advances in Electrical Engineering, Electronics and Energy, Vol 6, Iss , Pp 100330- (2023)
Edge termination has emerged as an important area in the design and realization of vertical GaN power electronic devices. While the material properties of GaN are promising for high-performance devices, in practice the breakdown voltage can be compro
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/cfcf130a86494ea8b64be1d6ac0be385
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.