Zobrazeno 1 - 10
of 397
pro vyhledávání: '"Vertical GaN devices"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ruzzarin, M., Geens, K., Borga, M., Liang, H., You, S., Bakeroot, B., Decoutere, S., De Santi, C., Neviani, A., Meneghini, M., Meneghesso, G., Zanoni, E.
Publikováno v:
Volume 114, November 2020, 113828
The aim of this work is to present the optimization of the gate trench module for use in vertical GaN devices in terms of cleaning process of the etched surface of the gate trench, thickness of gate dielectric and magnesium concentration of the p-GaN
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2104.00939
Autor:
You, Shuzhen, Geens, Karen, Borga, Matteo, Liang, Hu, Hahn, Herwig, Fahle, Dirk, Heuken, Michael, Mukherjee, Kalparupa, De Santi, Carlo, Meneghini, Matteo, Zanoni, Enrico, Berg, Martin, Ramvall, Peter, Kumar, Ashutosh, Björk, Mikael T., Ohlsson, B. Jonas, Decoutere, Stefaan
This paper reviews recent progress and key challenges in process and reliability for high-performance vertical GaN transistors and diodes, focusing on the 200 mm CMOS-compatible technology. We particularly demonstrated the potential of using 200 mm d
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2107.02469
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.