Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"Verkholetov, Maksim G."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yakovlev, Nikita N., Almaev, Aleksei V., Kushnarev, Bogdan O., Verkholetov, Maksim G., Poliakov, Maksim V., Zinovev, Mikhail M.
Publikováno v:
Crystals (2073-4352); Feb2024, Vol. 14 Issue 2, p123, 12p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Almaev, Aleksei V., Yakovlev, Nikita N., Almaev, Dmitry A., Verkholetov, Maksim G., Rudakov, Grigory A., Litvinova, Kristina I.
Publikováno v:
Micromachines; Oct2023, Vol. 14 Issue 10, p1875, 14p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Oleinik, Vladimir L., Smirnova, Tatyana E., Kopyev, Viktor V., Verkholetov, Maksim G., Balzovsky, Evgeny V., Tolbanov, Oleg P., Prudaev, Ilya A.
Publikováno v:
IEEE transactions on electron devices. 2018. Vol. 65, № 8. P. 3339-3344
The results of theoretical and experimental investigation of charge carrier transport in avalanche S-diodes based on π-ν-n and π-n structures are presented. High-ohmic layers of the diodes were made by diffusion of deep chromium and iron acceptors
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3810::a172aa315518d875bb1e932b632d3956
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000651299
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000651299
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Prudaev, Ilya A., Oleinik, Vladimir L., Smirnova, Tatyana E., Kopyev, Viktor V., Verkholetov, Maksim G., Balzovsky, Evgeny V., Tolbanov, Oleg P.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices; Aug2018, Vol. 65 Issue 8, p3339-3344, 6p