Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"Verhoeven, Espen Førdestrøm"'
Autor:
Verhoeven, Espen Førdestrøm
Publikováno v:
Verhoeven, Espen Førdestrøm. Determining Hydrogen's influence on electrically active defects in β - Ga2O3. Master thesis, University of Oslo, 2020
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10852/81263
https://www.duo.uio.no/bitstream/handle/10852/81263/1/Espen-Verhoeven_masteroppgave.pdf
https://www.duo.uio.no/bitstream/handle/10852/81263/1/Espen-Verhoeven_masteroppgave.pdf
Autor:
Langørgen, Amanda, Zimmermann, Christian, Frodason, Ymir Kalmann, Verhoeven, Espen Førdestrøm, Weiser, Philip Michael, Karsthof, Robert Michael, Basile Varley, Joel, Vines, Lasse
Publikováno v:
Langørgen, Amanda Zimmermann, Christian Frodason, Ymir Kalmann Verhoeven, Espen Førdestrøm Weiser, Philip Michael Karsthof, Robert Michael Basile Varley, Joel Vines, Lasse . Influence of heat treatments in H2 and Ar on the E1 center in β-Ga2O3. Jo
Jo
Jo
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10852/99722
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Frodason, Ymir Kalmann, Zimmermann, Christian, Verhoeven, Espen Førdestrøm, Weiser, Philip Michael, Vines, Lasse, Varley, Joel B
Publikováno v:
Frodason, Ymir Kalmann Zimmermann, Christian Verhoeven, Espen Førdestrøm Weiser, Philip Michael Vines, Lasse Varley, Joel B . Multistability of isolated and hydrogenated Ga-O divacancies in beta-Ga2O3. PHYSICAL REVIEW MATERIALS. 2021, 5
PHYSICAL REVIEW MATERIALS
PHYSICAL REVIEW MATERIALS
Autor:
Bonkerud, Julie, Zimmermann, Christian, Weiser, Philip Michael, Herklotz, Frank, Seiffert, Christoph, Verhoeven, Espen Førdestrøm, Vines, Lasse, Monakhov, Eduard
Publikováno v:
Bonkerud, Julie Zimmermann, Christian Weiser, Philip Michael Herklotz, Frank Seiffert, Christoph Verhoeven, Espen Førdestrøm Vines, Lasse Monakhov, Eduard . Electrically-active defects in reduced and hydrogenated rutile TiO2. Semiconductor Science and Technology. 2020
Semiconductor Science and Technology
Semiconductor Science and Technology
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Formation and control of the E2* center in implanted b-Ga2O3 by reverse-bias and zero-bias annealing
Autor:
Zimmermann, Christian, Verhoeven, Espen Førdestrøm, Frodason, Ymir Kalmann, Weiser, Philip Michael, Varley, Joel B, Vines, Lasse
Publikováno v:
Zimmermann, Christian Verhoeven, Espen Førdestrøm Frodason, Ymir Kalmann Weiser, Philip Michael Varley, Joel B Vines, Lasse . Formation and control of the E2* center in implanted b-Ga2O3 by reverse-bias and zero-bias annealing. Jo
Jo
Jo