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pro vyhledávání: '"Verbindungshalbleiter"'
Autor:
Schneider, Tom
Verbindungshalbleiter mit einer großen Bandlücke wie Galliumnitrid (GaN) sind aufgrund ihrer hervorragenden elektronischen Eigenschaften für die Halbleiterindustrie von großem Interesse. Die Hochtemperatur-Gasphasenepitaxie, die auf dem physikali
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https://tubaf.qucosa.de/id/qucosa%3A79713
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Autor:
Jachalke, Sven
The change of the spontaneous polarization due to a change of temperature is known as the pyroelectric effect and is restricted to crystalline, non-centrosymmetric and polar matter. Its main application is the utilization in infrared radiation sensor
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https://tubaf.qucosa.de/id/qucosa%3A33969
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Autor:
Wilhelm, Martin
Die vorliegende Arbeit besteht aus drei Teilen und hatte das Ziel, die effiziente Herstellung von Tandem-Solarzellen auf Siliziumsubstraten zu ermöglichen. Hierzu wurde vor allem die Möglichkeit des Bandgap-Engineering bei Si1-x-yGexCy untersucht.
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2091::846c32f3c2f6f11f8ce37157884503b7
Autor:
Wutzler, René
The progress in device performance of modern microelectronic technology is mainly driven by down-scaling. In the near future, this road will probably reach a point where physical limits make even more down-scaling impossible. The substitution of sing
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Autor:
Popp, Andreas
Chalkopyrite gelten aufgrund ihrer direkten Bandlücke sowie der hohen Absorptions-koeffizienten als vielversprechende Materialien für Absorber in der Dünnschichtsolarzellentechnik. Speziell CuGaSe2 (CGS) mit einer für Kupfer-Chalkopyrite großen
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https://opus4.kobv.de/opus4-btu/frontdoor/index/index/docId/4246
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Autor:
Anger, Sabrina
Trotz der im Vergleich zu Silizium überragenden elektronischen Eigenschaften von Verbindungshalbleitern, ist die Leistung der daraus gefertigten elektrischen Bauelemente aufgrund der vorhandenen, die elektronischen Materialeigenschaften beeinflussen
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https://tubaf.qucosa.de/id/qucosa%3A23028
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Autor:
Zallo, Eugenio
Semiconductor quantum dots (QDs) are fascinating systems for potential applications in quantum information processing and communication, since they can emit single photons and polarisation entangled photons pairs on demand. The asymmetry and inhomoge
Autor:
Kaiser, Michl
Die Zielsetzung dieser Arbeit lag darin, polykristalline Quellenmaterialien mit dem PVT-Verfahren für die Sublimationsepitaxie herzustellen und deren strukturelle Eigenschaften, sowie den Einbau von Dotierstoffen zu charakterisieren. Weiterhin sollt
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https://opus4.kobv.de/opus4-fau/files/4819/MichlKaiserDissertation.pdf
https://opus4.kobv.de/opus4-fau/files/4819/MichlKaiserDissertation.pdf
Autor:
Anger, Sabrina
Trotz der im Vergleich zu Silizium überragenden elektronischen Eigenschaften von Verbindungshalbleitern, ist die Leistung der daraus gefertigten elektrischen Bauelemente aufgrund der vorhandenen, die elektronischen Materialeigenschaften beeinflussen
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4293::51b7d8a87d5d0250f561772898e30e52
https://tubaf.qucosa.de/id/qucosa:23028
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Autor:
Diebold, Sebastian
Ziel ist der Entwurf von monolithisch integrierten Leistungsverstärkern für den Frequenzbereich von 200 bis über 250 GHz. Dafür sind verlässliche und flexible Leitungs- und Transistormodelle notwendig. Sie werden erstellt und ihre Genauigkeit wi
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::338a4bd6fbdbf41cababb054f47b3e33
https://publikationen.bibliothek.kit.edu/1000037898
https://publikationen.bibliothek.kit.edu/1000037898