Zobrazeno 1 - 10
of 42
pro vyhledávání: '"Ventosinos, F."'
Publikováno v:
Journal of Chemical Physics; 3/21/2022, Vol. 156 Issue 11, p1-9, 9p
Publikováno v:
In Journal of Non-Crystalline Solids 1 September 2012 358(17):2031-2034
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Finsterle, T., Klusacek, J., Ventosinos, F., Schüttauf, J.-W., Hrzina, P., Cerná, L., Benda, V., Holovsky, J.
32nd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition; 1250-1252
The thin film technology of photovoltaic modules is perspective from the low cost point of view and with the respect of special, for example flexible modules. However,
The thin film technology of photovoltaic modules is perspective from the low cost point of view and with the respect of special, for example flexible modules. However,
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f42572a93f33fd682671553f9e5918b9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
28th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition; 2613-2616
We deposit n+ polycrystalline silicon (pc-Si) thin films on glass substrates by atmospheric pressure CVD, using trichlorosilane as a Si source and PCl3 as a phosphorous
We deposit n+ polycrystalline silicon (pc-Si) thin films on glass substrates by atmospheric pressure CVD, using trichlorosilane as a Si source and PCl3 as a phosphorous
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0cc5f2c5f42f92fb8fc3f6c6ce608e81
Autor:
Budini, N., Schmidt, J.A., Ventosinos, F., Pacio Castillo, A., Arce, R.D., Juárez Santiesteban, H., Buitrago, R.H.
28th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition; 2653-2656
We present results regarding the morphological and electrical characterization of semiconductor junctions formed by deposition of p-type amorphous silicon (a-Si) thin f
We present results regarding the morphological and electrical characterization of semiconductor junctions formed by deposition of p-type amorphous silicon (a-Si) thin f
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::92f348ca803a53e4913892a6dc8148cd