Zobrazeno 1 - 10
of 77
pro vyhledávání: '"Venanzi, T"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Talamas Simola, E, Montanari, M, Corley-Wiciak, C, Di Gaspare, L, Persichetti, L, Zöllner, Mh, Schubert, Ma, Venanzi, T, Trouche, Mc, Ortolani, M, Mattioli, F, Sfuncia, G, Nicotra, G, Capellini, G, Virgilio, M, De Seta, M
The fabrication of complex low-dimensional quantum devices requires the control of the heteroepitaxial growth at the subnanometer scale. This is particularly challenging when the total thickness of stacked layers of device-active material becomes ext
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::bceec2d3d83dace458de198facfa74fa
https://hdl.handle.net/11590/427089
https://hdl.handle.net/11590/427089
Autor:
Venanzi, T., Selig, M., Pashkin, O., Winnerl, S., Katzer, M., Arora, H., Erbe, A., Patanè, A., Kudrynskyi, Z. R., Kovalyuk, Z. D., Baldassarre, L., Knorr, A., Helm, M., Schneider, H.
Publikováno v:
Publication date: 2023-01-27 Open accessDOI: 10.14278/rodare.2113Versions: 10.14278/rodare.2114License: CC-BY-4.0
streak camera data, meta data
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4577::9b0416ea817bc5e6b434a3bb72b9abf9
https://www.hzdr.de/publications/Publ-36445-1
https://www.hzdr.de/publications/Publ-36445-1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Venanzi, T., Selig, M., Pashkin, A., Winnerl, S., Katzer, M., Arora, H., Erbe, A., Kudrynskyi, Z. R., Kovalyuk, Z. D., Baldassarre, L., Knorr, A., Helm, M., Schneider, H.
A promising route for the development of opto-electronic technology is to use terahertz radiation to modulate the optical properties of semiconductors. Here, we demonstrate the dynamical control of photoluminescence (PL) emission in few-layer InSe us
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=core_ac_uk__::3ae16cee5ed4802590f6b617643233ff
Autor:
Balaghi, L., Shan, S., Fotev, I., Rana, R., Moebus, F., Venanzi, T., Hübner, R., Mikolajick, T., Schneider, H., Helm, M., Dimakis, E., Pashkin, O.
Publikováno v:
9th International Conference on Optical Terahertz Science and Technology (OTST 2022), 19.-24.06.2022, Budapest, Hungary
Optical pump – THz probe spectroscopy has been established as a tool for contactless probing of electronic transport in semiconductor nanowires (NWs) [1]. Particularly in III-V NWs, scattering rates of charge carriers, as well as their plasmonic re
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4577::556fbbe0574dc28c28c4af814c445ef7
https://www.hzdr.de/publications/Publ-35207-1
https://www.hzdr.de/publications/Publ-35207-1
Autor:
Rana, R., Balaghi, L., Shan, S., Fotev, I., Moebus, F., Venanzi, T., Hübner, R., Mikolajick, T., Schneider, H., Helm, M., Pashkin, O., Dimakis, E.
Publikováno v:
Nanowire Week 2022, 25.-29.04.2022, Chamonix, France
Optical pump – Terahertz (THz) probe (OPTP) spectroscopy has proven efficacy for contactless probing of electronic transport in semiconductor NWs [1]. Particularly in III-V NWs, scattering rates of charge carriers, as well as their plasmonic resona
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4577::6574bb8878edc3c1c7613779a26466ae
https://www.hzdr.de/publications/Publ-36396-1
https://www.hzdr.de/publications/Publ-36396-1
Autor:
Venanzi, T., Selig, M., Pashkin, O., Winnerl, S., Katzer, M., Arora, H., Erbe, A., Patane, A., Kudrynskyi, Z. R., Kovalyuk, Z. D., Baldassarre, L., Knorr, A., Helm, M., Schneider, H.
Publikováno v:
Frühjahrstagung der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, 04.-09.09.2022, Regensburg, Deutschland
Free carriers in doped semiconductors absorb terahertz radiation when the frequency of the electromagnetic field is lower or comparable to the plasma frequency of the system. This phenomenon can be used to manipulate the optical response of the mater
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4577::8255ee6c74db47f71bf93ee8fda459ab
https://www.hzdr.de/publications/Publ-36441-1
https://www.hzdr.de/publications/Publ-36441-1