Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"Vavasour, Oliver J."'
Autor:
Renz, A. B., Vavasour, Oliver J., Gammon, Peter M., Li, Fan, Dai, Tianxiang, Baker, G. W. C., Grant, Nicholas E., Murphy, John D., Mawby, Philip A., Shah, Vishal
A systematic capacitance-voltage (C-V) and time-dependent dielectric breakdown (TDDB) study on silicon carbide (SiC) metal-oxide-semiconductor capacitors (MOSCAPs) that use silicon dioxide (SiO2) is shown in this paper. Oxides were formed using atomi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=core_ac_uk__::d185bdc642d0e314379380cc57ea2aa5
http://wrap.warwick.ac.uk/168129/1/WRAP-improved-reliability-performance-post-deposition-annealed-ALD-SiO2-2022.pdf
http://wrap.warwick.ac.uk/168129/1/WRAP-improved-reliability-performance-post-deposition-annealed-ALD-SiO2-2022.pdf
Autor:
Renz, A. Benjamin, Vavasour, Oliver J., Rommel, Mathias, Baker, G.W.C., Gammon, Peter M., Dai, Tian Xiang, Li, Fan, Antoniou, Marina, Mawby, Phillip A., Shah, Vish Al
Publikováno v:
Materials Science Forum; May 2022, Vol. 1062 Issue: 1 p523-527, 5p
Autor:
Renz, A. Benjamin, Vavasour, Oliver J., Pérez-Tomás, Amador, Cao, Qin Ze, Shah, Vish Al, Bonyadi, Yeganeh, Pathirana, Vasantha, Trajkovic, Tanya, Baker, G.W.C., Mawby, Phillip A., Gammon, Peter M.
Publikováno v:
Materials Science Forum; May 2022, Vol. 1062 Issue: 1 p190-194, 5p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Renz, Arne Benjamin Benjamin, Vavasour, Oliver J, Gammon, Peter Michael, Li, Fan, Dai, Tianxiang, Baker, Guy W C, Grant, Nicholas E, Murphy, John D, Mawby, P. A., Shah, Vishal Ajit, Gott, James
Publikováno v:
ECS Transactions; May 2022, Vol. 108 Issue: 2