Zobrazeno 1 - 10
of 35
pro vyhledávání: '"Vasyl'ev, A. P."'
Autor:
Blokhin, S. A.1 (AUTHOR) blokh@mail.ioffe.ru, Vasyl'ev, A. P.2 (AUTHOR), Nadtochy, A. M.3 (AUTHOR), Prasolov, N. D.1 (AUTHOR), Nevedomsky, V. N.1 (AUTHOR), Bobrov, M. A.1 (AUTHOR), Blokhin, A. A.1 (AUTHOR), Kuzmenkov, A. G.1 (AUTHOR), Maleev, N. A.1 (AUTHOR), Ustinov, V. M.2 (AUTHOR)
Publikováno v:
Technical Physics Letters. 2023 Suppl 4, Vol. 49, pS168-S172. 5p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Blokhin, S. A., Bobrov, M. A., Blokhin, A. A., Maleev, N. A., Kuzmenkov, A. G., Vasyl'ev, A. P., Rochas, S. S., Babichev, A. V., Novikov, I. I., Karachinsky, L. Ya., Gladyshev, A. G., Denisov, D. V., Voropaev, K. O., Egorov, A. Yu., Ustinov, V. M.
Publikováno v:
Technical Physics Letters; 2023 Suppl 4, Vol. 49, pS178-S183, 6p
Autor:
Blokhin, S. A., Bobrov, M. A., Blokhin, A. A., Maleev, N. A., Kuzmenkov, A. G., Vasyl'ev, A. P., Rochas, S. S., Babichev, A. V., Novikov, I. I., Karachinsky, L. Ya., Gladyshev, A. G., Denisov, D. V., Voropaev, K. O., Egorov, A. Yu., Ustinov, V. M.
Publikováno v:
Technical Physics Letters; 2023 Suppl 4, Vol. 49, pS173-S177, 5p
Autor:
null Ustinov V. M., null Maleev N. A., null Kuzmenkov A. G., null Blokhin A. A., null Bobrov M. A., null Nevedomskiy V. N., null Prasolov N.D., null Nadtochiy A.M., null Vasyl’ev A. P., null Blokhin S. A.
Publikováno v:
Technical Physics Letters. 48:78
The influence of the substrate temperature and the flux of In adatoms on the structural and optical characteristics of InAs quantum dots with a low surface density is experimentally studied. An increase in the substrate temperature under conditions o
Autor:
null Ustinov V. M., null Egorov А. Yu., null Voropaev K. O., null Denisov D. V., null Gladyshev A. G., null Karachinsky L. Ya., null Novikov I. I., null Babichev A. V., null Rochas S. S., null Vasyl’ev A. P., null Kuzmenkov A.G., null Maleev N.A., null Blokhin A.A., null Bobrov M. A., null Blokhin S.A.
Publikováno v:
Technical Physics Letters. 48:3
The analysis of internal optical loss and internal quantum efficiency in 1.3 μm-range InAlGaAsP/AlGaAs a composite n+-InGaAs/p+-InGaAs/p+-InAlGaAs tunnel junction obtained in the frame of molecular-beam epitaxy and wafer fusion technology. The level
Autor:
null Ustinov V.M., null Bugrov V.E., null Voropaev K.O., null Blokhin A. A., null Bobrov M. A., null Nashchekin A.V., null Troshkov S.I., null Blokhin S. A., null Vasyl’ev A. P., null Kulagina M.M., null Kuzmenkov A.G., null Maleev N.A.
Publikováno v:
Technical Physics Letters. 48:28
Mushroom mesa structure for InAlAs/InGaAs avalanche photodiodes (APD) was proposed and investigated. APD heterostructrures were grown by molecular-beam epitaxy. Fabricated APDs with the sensitive area diameter of about 30 micron were passivated by Si
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.