Zobrazeno 1 - 10
of 108
pro vyhledávání: '"Vassilevski, K"'
Autor:
Hopf, T., Vassilevski, K. V., Escobedo-Cousin, E., King, P. J., Wright, N. G., O'Neill, A. G., Horsfall, A. B., Goss, J. P., Wells, G. H., Hunt, M. R. C.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2014, Vol. 116 Issue 15, p1-6, 6p
Publikováno v:
In Materials Science & Engineering B 2001 80(1):370-373
Autor:
Vamvoukakis, K, Stefanakis, D, Stavrinidis, A, Vassilevski, K, Konstantinidis, G, Kayambaki, M, Zekentes, Konstantinos
Publikováno v:
physica status solidi (a)
physica status solidi (a), Wiley, 2017
physica status solidi (a), Wiley, 2017
International audience; SiC JFETs may have the lowest overall losses of switching devices and can operate at temperatures over 400°C. Over different junction field-effect transistor (JFET) designs the trenched and implanted (TI) gate vertical JFET (
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::3b29b4a4d0427f00afe214f1fa51bd39
https://hal.science/hal-01705998
https://hal.science/hal-01705998
Publikováno v:
In Solid State Electronics 2000 44(7):1173-1177
Autor:
Nikitina, I. P., Vassilevski, K. V., Wright, N. G., Horsfall, A. B., O'Neill, A. G., Johnson, C. M.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 4/15/2005, Vol. 97 Issue 8, p083709, 7p, 1 Black and White Photograph, 1 Chart, 5 Graphs
Publikováno v:
In Materials Science & Engineering B 1999 61:325-329
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 12/15/1993, Vol. 74 Issue 12, p7612, 3p
Publikováno v:
2015 IEEE SENSORS; 2015, p1-4, 4p