Zobrazeno 1 - 10
of 14
pro vyhledávání: '"Vanjari Sai Charan"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Aniruddhan Gowrisankar, Vanjari Sai Charan, Hareesh Chandrasekar, Anirudh Venugopalarao, R. Muralidharan, Srinivasan Raghavan, Digbijoy N. Nath
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 70:1622-1627
Autor:
Digbijoy N. Nath, Vanjari Sai Charan, Rangarajan Muralidharan, Sandeep Vura, Srinivasan Raghavan
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 42:497-500
We report a novel Sc/Al/Ni/Au metal scheme for Ohmic contacts to InAlN/GaN HEMT structures on silicon. A contact resistance of $0.39~\Omega $ -mm with a low surface roughness of 20± 3 nm of the annealed contact has been achieved using this metal sch
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
physica status solidi (a). 219:2100858
Autor:
Sandeep Vura, Sandeep Kumar, Digbijoy N. Nath, Vanjari Sai Charan, Surani Bin Dolmanan, Anamika Singh Pratiyush, Sukant K. Tripathy, Himanshu Kumar, Rangarajan Muralidharan
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 66:1230-1235
We report on the demonstration and investigation of Ta2O5 as high-k dielectric for InAlN/GaN-MOS high-electron mobility transistor (HEMT)-on-Si. Ta2O5 of thickness 24 nm and dielectric constant ~30 was sputter deposited on InAlN/GaN HEMT and was inve
Autor:
Francis, Daniel, Ji, Xiaoyang, Vanjari, Sai Charan, Tadjer, Marko, Feygelson, Tatyana, Lundh, James Spencer, Masten, Hannah, Spencer, Joseph, Jacobs, Alan G., Anderson, Travis J., Hobart, Karl D., Pate, Bradford, Kuball, Martin, Ejeckam, Felix
Publikováno v:
ECS Meeting Abstracts; 2024, Vol. MA2024-01 Issue 1, p1567-1567, 1p
Autor:
Vura, Sandeep, Muazzam, Usman Ul, Kumar, Vishnu, Vanjari, Sai Charan, Muralidharan, Rangarajan, Digbijoy, Nath, Nukala, Pavan, Raghavan, Srinivasan
Publikováno v:
ACS Applied Electronic Materials; 4/26/2022, Vol. 4 Issue 4, p1619-1625, 7p
Publikováno v:
Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Nov2022, Vol. 219 Issue 21, p1-5, 5p
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters; Apr2021, Vol. 42 Issue 4, p497-500, 4p