Zobrazeno 1 - 10
of 827
pro vyhledávání: '"Van der waals epitaxy"'
Publikováno v:
Advanced Science, Vol 11, Iss 41, Pp n/a-n/a (2024)
Abstract Free‐standing gallium nitride has been prepared using various methods; however, the removal of the original substrate is still challenging with low success rates. In this work, 2‐inch free‐standing GaN films are obtained by direct grow
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/feeea4ee58124cb6bd4ce74782ca4d16
Autor:
Dongdong Liang, Bei Jiang, Zhetong Liu, Zhaolong Chen, Yaqi Gao, Shenyuan Yang, Rui He, Lulu Wang, Junxue Ran, Junxi Wang, Peng Gao, Jinmin Li, Zhongfan Liu, Jingyu Sun, Tongbo Wei
Publikováno v:
Advanced Science, Vol 11, Iss 20, Pp n/a-n/a (2024)
Abstract The realization of high quality (0001) GaN on Si(100) is paramount importance for the monolithic integration of Si‐based integrated circuits and GaN‐enabled optoelectronic devices. Nevertheless, thorny issues including large thermal mism
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/cc06096a042946aea09b96c7aeafa2e8
Autor:
Ilpyo Roh, Seok Hyeon Goh, Yuan Meng, Justin S. Kim, Sangmoon Han, Zhihao Xu, Han Eol Lee, Yeongin Kim, Sang-Hoon Bae
Publikováno v:
Nano Convergence, Vol 10, Iss 1, Pp 1-17 (2023)
Abstract Epitaxy technology produces high-quality material building blocks that underpin various fields of applications. However, fundamental limitations exist for conventional epitaxy, such as the lattice matching constraints that have greatly narro
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0e8870296bff4ba4b1cd5629df35be2c
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 14, Iss 8, p 732 (2024)
The van der Waals epitaxy of wafer-scale GaN on 2D MoS2 and the integration of GaN/MoS2 heterostructures were investigated in this report. GaN films have been successfully grown on 2D MoS2 layers using three different Ga fluxes via a plasma-assisted
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d8d8175d97534daab9fb8c19684d6d12
Autor:
Xuejing Wang, Ryan Kaufmann, Andrew C. Jones, Renjie Chen, Towfiq Ahmed, Michael T. Pettes, Paul G. Kotula, Ismail Bilgin, Yongqiang Wang, Swastik Kar, Jinkyoung Yoo
Publikováno v:
Materials Today Advances, Vol 19, Iss , Pp 100401- (2023)
Growing three-dimensional (3D) materials on two-dimensional (2D) van der Waals surface has shown its effectiveness in overcoming materials incompatibility for stacking transferrable membranes toward advanced device manufacturing. Herein, we demonstra
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/31458e2057424c9d9d8fa91c8e5e9242
Autor:
Liu Zhetong, Liu Bingyao, Chen Zhaolong, Yang Shenyuan, Liu Zhiqiang, Wei Tongbo, Gao Peng, Liu Zhongfan
Publikováno v:
National Science Open, Vol 2 (2023)
Heteroepitaxy can reduce the cost and widen the application range of semiconductor film synthesis and device fabrication. However, the lattice and thermal expansion coefficient mismatches between epilayers and substrates limit the improvement of crys
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8a7eca1c0f814603b67c0aa90e3dee0f
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.