Zobrazeno 1 - 10
of 554
pro vyhledávání: '"Van der Heijden, J."'
Autor:
Kobayashi, T., Salfi, J., van der Heijden, J., Chua, C., House, M. G., Culcer, D., Hutchison, W. D., Johnson, B. C., McCallum, J. C., Riemann, H., Abrosimov, N. V., Becker, P., Pohl, H. -J., Simmons, M. Y., Rogge, S.
Publikováno v:
Nature Materials 20, 38-42 (2021)
Spin-orbit coupling fundamentally alters spin qubits, opening pathways to improve the scalability of quantum computers via long distance coupling mediated by electric fields, photons, or phonons. It also allows for new engineered hybrid and topologic
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1809.10859
Autor:
van der Heijden, J., Kobayashi, T., House, M. G., Salfi, J., Barraud, S., Lavieville, R., Simmons, M. Y., Rogge, S.
Publikováno v:
Science Advances 4, eaat9199 (2018)
Two-level quantum systems with strong spin-orbit coupling allow for all-electrical qubit control and long-distance qubit coupling via microwave and phonon cavities, making them of particular interest for scalable quantum information technologies. In
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1703.03538
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Scientific Reports 7, 44371 (2017)
Single-electron pumps based on isolated impurity atoms have recently been experimentally demonstrated. In these devices the Coulomb potential of an atom creates a localised electron state with a large charging energy and considerable orbital level sp
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1607.08696
Autor:
Kobayashi, T., van der Heijden, J., House, M. G., Hile, S. J., Asshoff, Pablo, Gonzalez-Zalba, M. F., Vinet, M., Simmons, M. Y., Rogge, S.
Publikováno v:
Appl. Phys. Lett. 108, 152102 (2016)
We report electronic transport measurements through a silicon hybrid double quantum dot consisting of a donor and a quantum dot. Transport spectra show resonant tunneling peaks involving different valley states, which illustrate the valley splitting
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1604.04020
Autor:
Meyer, V. M., Bosch, N., van der Heijden, J. A. G., Kalkdijk-Dijkstra, A. J., Pierie, J. P. E. N., Beets, G. L., Broens, P. M. A., Klarenbeek, B. R., van Westreenen, H. L.
Publikováno v:
Journal of Gastrointestinal Cancer; Sep2024, Vol. 55 Issue 3, p1266-1273, 8p
We demonstrate the proof of principle for a ternary adder using silicon metal-on-insulator single electron transistors (SET). Gate dependent rectifying behavior of a single electron transistor results in a robust three-valued output as a function of
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1108.5527
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.