Zobrazeno 1 - 10 of 274 pro vyhledávání: '"Van Overstraeten, R."'
5
Akademický článek
High-temperature H2 anneal of interface defects in electron-beam-irradiated MNOS structures.
Autor: Schols, G. A., Maes, H. E., Van Overstraeten, R. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jun1980, Vol. 51 Issue 6, p3194-3197, 4p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Theory of isothermal dielectric relaxation and direct determination of trap parameters.
Autor: Gupta, H. M., Van Overstraeten, R. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Mar1976, Vol. 47 Issue 3, p1003-1009, 7p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Role of trap states in the insulator region for MIM characteristics.
Autor: Gupta, H. M., Van Overstraeten, R. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jun1975, Vol. 46 Issue 6, p2675-2682, 8p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Energy of arrays of nonperiodic interacting dislocations in semiconductor strained epilayers: Implications for strain relaxation.
Autor: Jain, Uma, Jain, S. C., Atkinson, A., Nijs, J., Mertens, R. P., Van Overstraeten, R.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2/15/1993, Vol. 73 Issue 4, p1773, 8p, 7 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Theory of the junction capacitance of an abrupt diode.
Autor: Van Mieghem, P., Mertens, R. P., Van Overstraeten, R. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 5/1/1990, Vol. 67 Issue 9, p4203, 9p, 1 Diagram, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
The ''inhibition effect'' of a trichloroethane oxidation to suppress the stacking-fault nucleation in silicon.
Autor: Claeys, C. L., Declerck, G. J., Van Overstraeten, R. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Dec1980, Vol. 51 Issue 12, p6183-6188, 6p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje