Zobrazeno 1 - 10
of 740
pro vyhledávání: '"Van Houdt J"'
Autor:
Alam, Md Nur K., Clima, S., Kaczer, B., Roussel, Ph., Truijen, B., Ragnarsson, L. - A., Horiguchi, N., Heyns, M., Van Houdt, J.
Existence of quasi-static negative capacitance (QSNC) was proposed from an interpretation of the widely accepted Landau model of ferroelectrics. However, many works showed not to support the QSNC theory, making it controversial. In this letter we sho
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2404.13138
Autor:
Souche E. L., Hellemans B., Van Houdt J. K. J., Canario A., Klages S., Reinhardt R., Volckaert F. A. M.
Publikováno v:
Journal of Integrative Bioinformatics, Vol 4, Iss 3, Pp 158-167 (2007)
As a multitude of sequence data are published, discovering polymorphisms bioinformatically becomes a valid option. In silico Single Nucleotide Polymorphism (SNP) detection is based on the analysis of multiple alignments. Each column of an alignment i
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2cebc21b46a6473c9e2e761ff16f660c
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Maroso, F., Hillen, J.E.J., Pardo, B.G., Gkagkavouzis, K., Coscia, I., Hermida, M., Franch, R., Hellemans, B., Van Houdt, J., Simionati, B., Taggart, J.B., Nielsen, E.E., Maes, G., Ciavaglia, S.A., Webster, L.M.I., Volckaert, F.A.M., Martinez, P., Bargelloni, L., Ogden, R.
Publikováno v:
In Marine Genomics June 2018 39:64-72
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 25 June 2017 178:145-149
Autor:
Subhechha, S., Degraeve, R., Roussel, P., Goux, L., Clima, S., De Meyer, K., Van Houdt, J., Kar, G.S.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 25 June 2017 178:93-97
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Assessment of tunnel oxide and poly-Si channel traps in 3D SONOS memory before and after P/E cycling
Autor:
Lee, K.H., Degraeve, R., Toledano-Luque, M., Arreghini, A., Breuil, L., Blomme, P., Van den bosch, G., Van Houdt, J.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 1 November 2015 147:45-50
Autor:
Alam, Md Nur K, Clima, S., O'Sullivan, B. J., Kaczer, B., Pourtois, G., Heyns, M., Van Houdt, J.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2/28/2021, Vol. 129 Issue 8, p1-7, 7p