Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Boron-Doped Silicon Surfaces from B2H6 Passivated by ALD Al2O3 for Solar Cells

Autor: Mok, K. R C Caroline, Van De Loo, Bas W H, Vlooswijk, Ard H G, Kessels, W. M M Erwin, Nanver, Lis K.

Publikováno v: Mok, K R C C, Van De Loo, B W H, Vlooswijk, A H G, Kessels, W M M E & Nanver, L K 2015, ' Boron-Doped Silicon Surfaces from B 2 H 6 Passivated by ALD Al 2 O 3 for Solar Cells ', IEEE Journal of Photovoltaics, vol. 5, no. 5, 7130564, pp. 1310-1318 . https://doi.org/10.1109/JPHOTOV.2015.2438640

A p+-doping method for silicon solar cells is presented whereby boron atoms from a pure boron (PureB) layer deposited by chemical vapor deposition using B2H6 as precursor were thermally diffused into silicon. The applicability of this doping process

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::0382fa85b64d383b8eb5def13fa23cb0
https://vbn.aau.dk/da/publications/acd0b034-c567-4764-9814-88aeba06adfd

Hydrogen passivation of poly-Si/SiOx contacts for Si solar cells using Al2O3 studied with deuterium.

Autor: Schnabel, Manuel, van de Loo, Bas W. H., Nemeth, William, Macco, Bart, Stradins, Paul, Kessels, W. M. M., Young, David L.

Publikováno v: Applied Physics Letters; 5/14/2018, Vol. 112 Issue 20, pN.PAG-N.PAG, 5p, 1 Black and White Photograph, 3 Graphs