Дослідження закономірностей формування пор на поверхні напівпровідників

Autor: Vambol, Sergey, Bogdanov, Ihor, Vambol, Viola, Suchikova, Yana, Kondratenko, Olexandr, Hurenko, Olga, Onishchenko, Sergey

Publikováno v: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 3, № 5 (87) (2017): Applied physics; 37-44
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 3, № 5 (87) (2017): Прикладная физика; 37-44
Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 3, № 5 (87) (2017): Прикладна фізика; 37-44

A general procedure is devised to control the process of formation of porous layers on semiconductor surfaces by the method of electrochemical etching. When controlling the process of pore formation on the surface of crystal, it is necessary to consi

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::2356f73412e337a192aced5585c52fc1
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/104039