Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"Valsaraj, Amith"'
The effects of contact geometry and ideality on InGaAs and Si nano-scale n-channel FinFET performance are studied using a quantum-corrected semi-classical Monte Carlo method. Illustrative end, saddle/slot, and raised source/drain contacts were modele
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1903.12281
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.