Zobrazeno 1 - 10
of 200
pro vyhledávání: '"Valakh, M.Ya."'
Autor:
Yukhymchuk, V.O., Kiselov, V.S., Valakh, M.Ya., Tryus, M.P., Skoryk, M.A., Rozhin, A.G., Kulinich, S.A., Belyaev, A.E.
Publikováno v:
In Journal of Physics and Chemistry of Solids April 2016 91:145-151
Autor:
Fontané, X., Izquierdo-Roca, V., Saucedo, E., Schorr, S., Yukhymchuk, V.O., Valakh, M.Ya., Pérez-Rodríguez, A., Morante, J.R.
Publikováno v:
In Journal of Alloys and Compounds 25 October 2012 539:190-194
Autor:
Yukhymchuk, V.O., Valakh, M.Ya., Kladko, V.P., Slobodian, M.V., Gudymenko, O.Yo., Krasilnik, Z.F., Novikov, A.V.
Publikováno v:
Ukrainian Journal of Physics; Vol. 56 No. 3 (2011); 254
Український фізичний журнал; Том 56 № 3 (2011); 254
Український фізичний журнал; Том 56 № 3 (2011); 254
High resolution X-ray diffraction (HRXRD), Raman scattering (RS), and photoluminescence (PL) methods have been used to study theinfluence of Si1–xGex buffer layer parameters on the spatial ordering of self-assembled Ge nanoislands in multilayer SiG
Publikováno v:
Ukrainian Journal of Physics; Vol. 56 No. 10 (2011); 1080
Український фізичний журнал; Том 56 № 10 (2011); 1080
Український фізичний журнал; Том 56 № 10 (2011); 1080
Colloidal II–VI semiconductor nanoparticles (NPs) and core-shell NPs obtained by means of colloidal chemistry are studied by means of optical absorption, photoluminescence, and Raman scattering spectroscopy. The effects of the strong confinement of
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B December 2006 253(1-2):27-30
Autor:
Raevskaya, A.E., Stroyuk, A.L., Kuchmiy, S.Ya., Azhniuk, Yu.M., Dzhagan, V.M., Yukhymchuk, V.O., Valakh, M.Ya.
Publikováno v:
In Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects 2006 290(1):304-309
Publikováno v:
Semiconductor Physics Quantum Electronics and Optoelectronics. 19:321-327
The main difficulty in obtaining the lateral elemental composition distribution maps of the semiconductor nanostructures by Scanning Auger Microscopy is the thermal drift of the analyzed area, arising from its local heating with the electron probe an
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Valakh, M.Ya. *, Korsunska, N.O., Sadofyev, Yu.G., Strelchuk, V.V., Semenova, G.N., Borkovska, L.V., Artamonov, V.V., Vuychik, M.V.
Publikováno v:
In Materials Science & Engineering B 2003 101(1):255-258