Zobrazeno 1 - 10
of 34
pro vyhledávání: '"Vakhnyak, N."'
Autor:
Budzulyak S. I., Korbutyak D. V., Lots'ko A. P., Vakhnyak N. D., Kalitchuk S. M., Demchina L. A., Konakova R. V., Shinkarenko V. V., Mel'nichuk A. V.
Publikováno v:
Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, Iss 4, Pp 45-49 (2014)
High-resistance cadmium telluride single crystals are promising material for production of ionizing radiation detectors. To increase crystal resistance, they are doped with chlorine. The detector quality depends on uniformity of chlorine impurity dis
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/124ad360c9f5467598b9de6cac36ae5d
Autor:
Tomashik Z. F., Stratiichuk I. B., Tomashik V. N., Budzulyak S. I., Gnativ I. I., Komar V. K., Dubina N. G., Lots’ko A. P., Korbutyak D. V., Demchina L. A., Vakhnyak N. D.
Publikováno v:
Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, Iss 1, Pp 42-44 (2013)
The article describes a newly-developed method of manufacturing of an operating element of the Cd1–xZnxTe-detector of ionizing radiation with high sensitivity to low-energy gamma radiation of the americium 241Am radioactive isotope. The proposed tw
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/599fa4da82da4d93bcfdca41ffaae998
Autor:
Vakhnyak, N. D.1, Lotsko, O. P.1, Budzulyak, S. I.1, Demchyna, L. A.1, Korbutyak, D. V.1, Konakova, R. V.1, Red'ko, R. A.1, Okhrimenko, O. B.1, Berezovska, N. I.2
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2017, Vol. 20 Issue 2, p250-253. 4p.
Autor:
Makhniy, V. P.1 (AUTHOR), Vakhnyak, N. D.2 (AUTHOR), Kinzerska, O. V.1 (AUTHOR) oksanakinzerska@gmail.com, Pyryatynsky, Yu. P.3 (AUTHOR)
Publikováno v:
Semiconductors. Mar2019, Vol. 53 Issue 3, p310-312. 3p.
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2016, Vol. 19 Issue 4, p391-394. 4p.
Autor:
Makhniy, V. P.1 hello@email.com, Vakhnyak, N. D.2 hello2@email.com, Kinzerska, O. V.1 oksanakinzerska@gmail.com, Senko, I. M.1
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2018, Vol. 21 Issue 1, p80-82. 3p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.