Zobrazeno 1 - 10 of 67 pro vyhledávání: '"Vaissiere, J. C."'
1
Report
Common Origin of Quantum Regression and Quantum Fluctuation Dissipation Theorems
Autor: Shiktorov, P., Starikov, E., Gruzinskis, V., Reggiani, L., Varani, L., Vaissiere, J. C.
It is shown that the quantum fluctuation dissipation theorem can be considered as a mathematical formulation in the spectral representation of Onsager hypothesis on the regression of fluctuations in physical systems. It is shown that the quantum fluc
Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/cond-mat/0011420
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Monte Carlo simulation of the generation of terahertz radiation in GaN.
Autor: Starikov, E., Shiktorov, P., Gruzinskis, V., Reggiani, L., Varani, L., Vaissiere, J. C., Zhao, Jian H.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 1/15/2001, Vol. 89 Issue 2, p1161, 11p, 14 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Impedance field and noise of submicrometer n[sup+]nn[sup+] diodes: Analytical approach.
Autor: Bulashenko, O. M., Gaubert, P., Varani, L., Vaissiere, J. C., Nougier, J. P.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/15/2000, Vol. 88 Issue 8, p4709, 8p, 1 Diagram, 8 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Matrix determination of the stationary solution of the Boltzmann equation for hot carriers in semiconductors.
Autor: Aubert, J. P., Vaissiere, J. C., Nougier, J. P.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Aug1984, Vol. 56 Issue 4, p1128-1132, 5p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Noise sources of hot carriers in space-charge regimes.
Autor: Nougier, J. P., Vaissiere, J. C., Gasquet, D., Motadid, A.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Sep1981, Vol. 52 Issue 9, p5683-5688, 6p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Determination of transient regime of hot carriers in semiconductors, using the relaxation time approximations.
Autor: Nougier, J. P., Vaissiere, J. C., Gasquet, D., Zimmermann, J., Constant, E.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Feb1981, Vol. 52 Issue 2, p825-832, 8p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Transfer impedance calculations of electronic noise in two-terminal semiconductor structures.
Autor: Starikov, E., Shiktorov, P., Gruzinskis, V., Varani, L., Vaissiere, J. C., Nougier, J.P., Gonzalez, T., Mateos, J., Pardo, D., Reggiani, L.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2/15/1998, Vol. 83 Issue 4, p2052, 15p, 26 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
A model hyperfrequency differential-mobility for nonlinear transport in semiconductors.
Autor: Varani, L., Vaissiere, J. C., Nougier, J. P., Houlet, P., Reggiani, L., Starikov, E., Shiktorov, P., Gruzhinskis, V., Hlou, L.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 1/15/1995, Vol. 77 Issue 2, p665, 11p, 7 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Field-dependent conductivity of lightly doped p-Si at 77 K.
Autor: Reggiani, L., Varani, L., Vaissiere, J. C., Nougier, J. P., Mitin, V.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 12/1/1989, Vol. 66 Issue 11, p5404, 5p, 1 Chart, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje