Zobrazeno 1 - 10
of 3 125
pro vyhledávání: '"Vacancy oxygen"'
Publikováno v:
In Journal of Physics and Chemistry of Solids September 2023 180
Publikováno v:
Appl. Phys. Lett. 112, 262104 (2018)
Oxygen is the most common unintentional impurity found in GaN. We study the interaction between substitutional oxygen (ON) and the gallium vacancy (VGa) to form a point defect complex in GaN. The formation energy of the gallium vacancy is largely red
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1802.10222
Publikováno v:
In Materials Science in Semiconductor Processing 1 August 2019 98:65-69
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 15 June 2017 468:424-432
Publikováno v:
In Computational Materials Science November 2016 124:428-437
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Semiconductors. Sep2018, Vol. 52 Issue 9, p1097-1103. 7p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.