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pro vyhledávání: '"VMOS - Vertical Metal Oxide Semiconductor"'
Autor:
Berthou, Maxime
Nous présentons dans ce document, notre étude de la conception et la réalisation de VMOS et de diodes Schottky et JBS en carbure de silicium. Ce travail nous a permis d'optimiser et de fabriquer des diodes utilisant une barrière Schottky en Tungs
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2012ISAL0008/document
