Zobrazeno 1 - 10
of 413
pro vyhledávání: '"VLS growth"'
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 14, Iss 16, p 1333 (2024)
Compositional control over vapor–liquid–solid III–V ternary nanowires based on group V intermix (VLS IIIVxV1−x NWs) is complicated by the presence of a catalyst droplet with extremely low and hence undetectable concentrations of group V atoms
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0d77e48d1ef74d6bbc5398c902f7d822
Autor:
Vladimir G. Dubrovskii
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 14, Iss 10, p 821 (2024)
Due to the very efficient relaxation of elastic stress on strain-free sidewalls, III–V nanowires offer almost unlimited possibilities for bandgap engineering in nanowire heterostructures by using material combinations that are attainable in epilaye
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/000b5305444f4d3fb8cc1797fba1afe2
Autor:
Vladimir G. Dubrovskii
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 14, Iss 2, p 207 (2024)
Control over the composition of III–V ternary nanowires grown by the vapor–liquid–solid (VLS) method is essential for bandgap engineering in such nanomaterials and for the fabrication of functional nanowire heterostructures for a variety of app
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d2d1d25979284f16a20be2e2348bc9d8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Galih R. Suwito, Vladimir G. Dubrovskii, Zixiao Zhang, Weizhen Wang, Sofiane Haffouz, Dan Dalacu, Philip J. Poole, Peter Grutter, Nathaniel J. Quitoriano
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 13, Iss 5, p 894 (2023)
Controlling the morphology and composition of semiconductor nano- and micro-structures is crucial for fundamental studies and applications. Here, Si-Ge semiconductor nanostructures were fabricated using photolithographically defined micro-crucibles o
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b179f99e130643598a66812ee1807b12
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.