Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"VACULA, Patrik"'
Publikováno v:
In Solid State Electronics August 2020 170
Publikováno v:
In Integration September 2018 63:18-30
Publikováno v:
2022 International Conference on Applied Electronics (AE).
This paper presents an interesting phenomenon related to the effective threshold voltage changes (δV th,eff ) in the diamond layout shape MOS transistors (DLS MOSFETs). Besides it, its analytical expression is presented here for the first time. The
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::8db7ccb49b317a350bbf7e0912905b56
https://doi.org/10.1109/ae54730.2022.9920095
https://doi.org/10.1109/ae54730.2022.9920095
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Vacula, Patrik, Husák, Miroslav
The main goal of this work is to compare the different Waffle MOS structures as function between main dimensions and channel resistance (specific on-resistance). Even if Waffle MOS structure is so general that it is independent on dedicated CMOS proc
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______8936::8f5a1792bc282c7bd86bcbba35e96442
http://hdl.handle.net/11025/11823
http://hdl.handle.net/11025/11823
Autor:
Vacula, Patrik, Husák, Miroslav
The main goal of this work is to describe alternative way of effective channel width to length (W/L) ratio calculation for Waffle MOS structure. Due to non-conventional gate geometry of the Waffle MOS transistor compare to the fingers structure, the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______8936::d6786ccc2edb4edae4d03748fa75b4da
http://hdl.handle.net/11025/6626
http://hdl.handle.net/11025/6626
Autor:
KOTE, Vlastimil, VACULA, Patrik, MOLATA, Vladimir, VESELY, Ondrej, TLASKAL, Ondrej, BARRI, Dalibor L., JAKOVENKO, Jiri, HUSAK, Miroslav
Publikováno v:
Radioengineering; Sep2018, Vol. 27 Issue 3, p796-805, 10p