Zobrazeno 1 - 10
of 66
pro vyhledávání: '"V.V. Kirienko"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
N. P. Stepina, M. G. Rybin, N. A. Nebogatikova, Oleg E. Tereshchenko, Irina V. Antonova, V.A. Golyashov, Vladimir A. Volodin, Konstantin A. Kokh, V.V. Kirienko, E. D. Obrazstova
Publikováno v:
Journal of Materials Science. 56:9330-9343
Heterostructures of Bi2Se3 topological insulators were epitaxially grown on graphene by means of the physical vapor deposition at 500 °C. Micrometer-sized flakes with thickness 1 QL (quintuple layer ~ 1 nm) and films of millimeter-scale with thickne
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A. V. Nenashev, Irina V. Antonova, O.E. Tereshchenko, K.A. Kokh, M. G. Rybin, V.V. Kirienko, E.S. Goldyreva, Elena D. Obraztsova, V.A. Golyashov, N.P. Stepina, E.S. Koptev
Publikováno v:
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 135:114969
Magneto-transport properties were studied on thin films of a 3D topological insulator (TI) Bi 2 Se 3 grown on graphene (Gr) by physical vapor deposition . It was shown that the main contribution to the conductance is from the bulk states, whereas mag
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
E.S. Goldyreva, Irina V. Antonova, Konstantin A. Kokh, N. A. Nebogatikova, D.A. Kustov, V.V. Kirienko, N. P. Stepina, Oleg E. Tereshchenko, V.A. Golyashov
Publikováno v:
Materials Research Bulletin. 129:110906
Thin Bi2Se3 films were deposited on mica substrates by physical vapor deposition without the use of the carrier gas. It was found that the films with high structural quality and high conductivity are grown at a source temperature of approximately 500
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.