Zobrazeno 1 - 10
of 18
pro vyhledávání: '"V.V. Chibirkin"'
Publikováno v:
Materials Science Forum. :593-596
4H-SiC epitaxial films grown on 4H-SiC in CVD reactor VP508GFR are investigated using FTIR, X-Ray diffraction, C-V measurements, stylus profiler and DIC optical microscopy.
Autor:
G.D. Chumakov, S.L. Logutenko, V.A. Martyinenko, F.A. Flat, V.P. Lazarchuk, V.V. Chibirkin, V.G. Bezuglov, M.Yu. Kirdyashkin, Sergey G Garanin, I.V. Galakhov, V. M. Murugov, S.V. Grigorovich, V.A. Osin, M.I. Kinzibaev, E. A. Kopelovich
Publikováno v:
2007 IEEE 34th International Conference on Plasma Science (ICOPS).
Summary form only given. The ISKRA-6 laser is a 128-beam, flashlamp-driven neodymium-glass laser that will produce near 0.6 MJ of light on target. Each of the 128 beams of the ISKRA-6 laser is amplified in two four-pass laser amplifiers. Pumping syst
Autor:
M.I. Kinzibaev, I.N. Pegoev, E. A. Kopelovich, S.V. Grigorovich, S.L. Logutenko, V.A. Martyinenko, G.D. Chumakov, Sergey G Garanin, V.I. Zolotovski, V. M. Murugov, A.A. Khapugin, F.A. Flat, S.A. Belyaev, V.V. Chibirkin, V.A. Osin, V.G. Bezuglov, I.V. Galakhov
Publikováno v:
2007 IEEE 34th International Conference on Plasma Science (ICOPS).
Summary form only given. A new generation of semiconductor closing switches based on reverse switched dynistors (RSD) has been developed to switch high-power current pulses with microsecond duration. In this report the results of theoretical and expe
Publikováno v:
1998 4th International Conference on Actual Problems of Electronic Instrument Engineering Proceedings. APEIE-98 (Cat. No.98EX179).
The technological process of electronic irradiation is applied in batch production of power semiconductor devices (PSDs) for improving their dynamic characteristics. As the capacities of converters have been growing and because of the necessity to us
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.