Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"V.V. Bilanych"'
Autor:
V.V. Bilanych
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Vol 22, Iss 1, Pp 47-52 (2019)
The hardness and Young’s modulus dependences on the instrumented indentation depth profiles in Cu6PS5I single crystals and Cu6PS5I-based thin films were investigated. The measurements of mechanical parameters were performed at the room temperature
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1d10be03318b48c0bb5065c2e039c1cb
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Vol 21, Iss 3, Pp 273-276 (2018)
(Cu1–xAgx)7GeS5I mixed crystals were grown using the Bridgman–Stockbarger method. The hardness dependences on the indentation depth profiles in (Cu 1–x Ag x ) 7 GeS 5 I mixed crystals were investigated. The measurements of mechanical parameters
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/479cc5edc5c14f93952680d9efdf4ca2
Autor:
vladimir komanicky, V. S. Bilanych, Oleg Shylenko, P.M. Lytvyn, V.V. Bilanych, V.M. Rizak, A. Feher
Publikováno v:
Journal of Non-Crystalline Solids. 601:121964
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.