Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"V.Q.G. Roth"'
Autor:
Umesh Chand, Lakshmi Kanta Bera, Navab Singh, K.M. Han, V.Q.G. Roth, Calvin Hung Ming Chua, Surasit Chung
Publikováno v:
Materials Science Forum. 1090:141-145
In this work, we report an innovative approach to improve the interface properties of SiC/SiO2 metal oxide semiconductor (MOS) capacitors. High temperature (1350°C) oxidation under different ambient is followed by a combination of post-oxidation ann
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fa8c436fcab27a5bb7e30a3544b79268
https://doi.org/10.4028/p-v0j9jt
https://doi.org/10.4028/p-v0j9jt
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.