Zobrazeno 1 - 10
of 26
pro vyhledávání: '"V.P. Germogenov"'
Autor:
O. P. Tolbanov, V.P. Germogenov, O.G. Shmakov, L.S. Okaevich, G.I. Ayzenshtat, A. P. Vorobiev, S.M. Guschin
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 531:97-102
The growth of GaAs epitaxial structures for X- and γ-ray detectors and the device characteristics have been investigated. Conditions of reproducible LPE growth of GaAs layers more than 100 μm thick on substrates of 40 μm diameter have been establi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1ac9dde9d60a1becf5af7886991cee23
https://doi.org/10.1016/j.nima.2004.05.100
https://doi.org/10.1016/j.nima.2004.05.100
Autor:
D.L. Budnitsky, S.M. Guschin, V.P. Germogenov, A.A. Larionov, O. P. Tolbanov, A.I. Potapov, A. P. Vorobiev, L.P. Porokhovnichenko
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 466:33-38
The growth and characteristics of the detector p–i–n-structures fabricated by means of the epitaxial methods are discussed. High-resistivity i-layers containing chromium as a compensated impurity have been grown on the n-GaAs substrates by the li
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bd2536124d36dde0769117e070d7c3a2
https://doi.org/10.1016/s0168-9002(01)00821-x
https://doi.org/10.1016/s0168-9002(01)00821-x
Autor:
E. P. Drugova, L.P. Porokhovnichenko, O.B. Koretskaya, A.I. Potapov, D.L. Budnitsky, V.P. Germogenov, N.N. Bakin, L.S. Okaevich, A. V. Tyazhev, S.S. Khludkov, A.P. Vorobiev, G.I. Ayzenshtat, Kevin M. Smith, O.P. Tolbanov, M. D. Vilisova
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 466:25-32
A comparative analysis of characteristics of detector structures fabricated by means of technology of epitaxial growth of an undoped high-resistive GaAs layer as well as structures based on SI-GaAs compensated with Cr during a diffusion process is pr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3242b68fad96e852ca7a9a0fc8a65973
https://doi.org/10.1016/s0168-9002(01)00820-8
https://doi.org/10.1016/s0168-9002(01)00820-8
Publikováno v:
2011 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON).
The results of study detector structures based on epitaxial layers of GaAs, compensated by Cr, are presented. It is shown that distribution of electric field straight in active region of the structures affected on it amplitude spectrums of γ-quantum
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c13162e981bae27ef6b4326037b59578
https://doi.org/10.1109/sibcon.2011.6072646
https://doi.org/10.1109/sibcon.2011.6072646
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.