Zobrazeno 1 - 10
of 27
pro vyhledávání: '"V.M. Tomashyk"'
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Vol 20, Iss 1, Pp 91-95 (2017)
The process of cutting, mechanical and chemical treatment of the PbTe and Pb1–xSnxTe crystal surface has been studied. The dependences of the chemical-mechanical polishing rate versus dilution of the base polishing etchant H2O2–HBr–ethylene gly
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f9c5aae33b7543dab40ebd6eecb5179a
Publikováno v:
Materials Today: Proceedings. 35:558-562
The methods of preliminary and finishing treatment of PbTe and Pb1−xSnxTe solid solutions, such as free abrasive mechanical polishing and chemical polishing of semiconductor wafer surfaces with developed bromine emerging etchants, have been develop
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8df71381f4e8fb9bc904d286a579f28b
https://doi.org/10.1016/j.matpr.2019.10.055
https://doi.org/10.1016/j.matpr.2019.10.055
Publikováno v:
Фізика і хімія твердого тіла, Vol 17, Iss 4, Pp 604-610 (2017)
The paper presents the results of experimental determination of the influence of the initial concentration of tartaric acid on the features of the chemical interaction of InAs, InSb, GaAs and GaSb with (NH4)2Cr2O7-HBr-C4H6O6 etching solutions. It was
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::5aa02494f8c230f2e6f9c00539b08487
https://doi.org/10.15330/pcss.17.4.604-610
https://doi.org/10.15330/pcss.17.4.604-610
Publikováno v:
Фізика і хімія твердого тіла, Vol 17, Iss 2, Pp 247-250 (2017)
The method of disk rotating kinetics of dissolution processes CdTe, ZnxCd1-xTe and Cd0.2Hg0.8Te in yodvydilyayuchyh etching compositions HNO3-NO-lactate acid. The dependence of etching rate of said material concentration oxidizer and organic solvent.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::e49ccfade8dbb0586b7a0a69b03ab288
https://doi.org/10.15330/pcss.17.2.247-250
https://doi.org/10.15330/pcss.17.2.247-250
Publikováno v:
Semiconductor Physics Quantum Electronics and Optoelectronics. 16:140-145
The process of chemical polishing the undoped and doped ZnSe crystals surface with H₂O₂ – HBr etchants has been studied. The dependence of the samples polishing rate on the concentration of H₂O₂ in HBr solution has been investigated. Surfac
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::9d40aea10ec8dbc2eaa0922128e0b36d
https://doi.org/10.15407/spqeo16.02.140
https://doi.org/10.15407/spqeo16.02.140
Publikováno v:
Chemistry of Metals and Alloys. 1:58-61
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b8dde5ea46b47e1ee529c3c5e21a29e9
https://doi.org/10.30970/cma1.0006
https://doi.org/10.30970/cma1.0006
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.