Zobrazeno 1 - 10
of 11
pro vyhledávání: '"V.M. Arole"'
Publikováno v:
Materials Today: Proceedings. 23:236-245
Microwave interaction with earth resources like soil and vegetation provides useful information for remote sensing techniques. Such interaction is mainly governed by a complex dielectric property of target material. This paper reports on laboratory m
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::63e8131fe31aa113ec62e67affde1de5
https://doi.org/10.1016/j.matpr.2020.02.022
https://doi.org/10.1016/j.matpr.2020.02.022
Publikováno v:
Solar Energy Materials. 20:91-97
Hydrogen passivation of grain boundaries in polycrystalline silicon is shown to improve the efficiencies of devices fabricated from these materials. We have carried out hydrogen plasma passivation of polycrystalline silicon in RF discharge and have s
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d7cffb91fe66fe5fdbe564189dd7e33e
https://doi.org/10.1016/0165-1633(90)90020-2
https://doi.org/10.1016/0165-1633(90)90020-2
Publikováno v:
Physica Status Solidi (a). 111:457-461
Hydrogen passivation of polycrystalline silicon wafer is carried out in order to reduce the deleterious effects of grain boundaries. A systematic variation is made in the process parameters implemented during hydrogen passivation and the results of r
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fcb81fed537773f5387695d2e1b0ce7f
https://doi.org/10.1002/pssa.2211110208
https://doi.org/10.1002/pssa.2211110208
Publikováno v:
Solar Energy Materials. 17:391-405
We report detailed studies of hydrogen passivation of polycrystalline silicon wafers by RF plasma and the effect of various process parameters on the extent of passivation as seen through electrical measurements. Similar studies made on polysilicon s
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a6152d67e1e95134963308419b9029fd
https://doi.org/10.1016/0165-1633(88)90021-4
https://doi.org/10.1016/0165-1633(88)90021-4
Publikováno v:
Journal of Physics D: Applied Physics. 21:1761-1763
CW CO2 laser annealing of boron-doped polycrystalline silicon at various substrate temperature, from room temperature to 600 degrees C, is reported. The overall improvement in charge carrier conduction of polycrystalline silicon is shown to occur at
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::468b7998a1d86eaca5d1d692f645b4a3
https://doi.org/10.1088/0022-3727/21/12/016
https://doi.org/10.1088/0022-3727/21/12/016
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.