Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"V.I. Biberin"'
Autor:
A. V. Govorkov, A. V. Kalikhov, V. N. Gavrin, N. B. Smirnov, E. P. Veretenkin, A. V. Markov, V.I. Biberin, Alexander Y. Polyakov, T. J. Bowles, J.P. Kozlova
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 51:1039-1046
Bulk GaAs crystals were grown by synthesis solute diffusion (SSD) technique in a wide range of growth temperatures between 990 and 1150 °C. Electrical properties of these crystals were studied by means of van der Pauw, admittance spectroscopy, deep
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::08e16d1f1d284a297f2592123957b735
https://doi.org/10.1016/j.sse.2007.05.005
https://doi.org/10.1016/j.sse.2007.05.005
Autor:
T. J. Bowles, Alexander Y. Polyakov, V.I. Biberin, A. V. Markov, A. V. Kalikhov, E. P. Veretenkin, G. D. Efimov, N.S Korovin, V. N. Gavrin, N. B. Smirnov, Yu. P. Kozlova, E. M. Verbitskaya, V. Eremin, A. V. Govorkov
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 46:2161-2168
Electrical and photoelectrical properties, deep levels spectra and microcathodoluminescence spectra were measured for bulk high-resistivity GaAs samples grown from Ga-rich solution by a synthesis solute diffusion technique. It is shown that the main
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1e67f468ca81fa7bd26f35f88ccf0f53
https://doi.org/10.1016/s0038-1101(02)00180-6
https://doi.org/10.1016/s0038-1101(02)00180-6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Periodical
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.