Zobrazeno 1 - 10
of 22
pro vyhledávání: '"V.H.C. Watt"'
Autor:
Robert W. Bower, V.H.C. Watt
Publikováno v:
Electronics Letters. 30:693-695
The authors have found that extremely strong bonds can be formed between wafer surfaces of LPCVD silicon dioxide after a dry plasma pretreatment. The bonded wafers were examined for bond yield, interfacial quality, and mechanical strength. Preliminar
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::23284e62ff0f544cf533384883368fce
https://doi.org/10.1049/el:19940497
https://doi.org/10.1049/el:19940497
Autor:
Michael A. Laughery, T. Y. Luo, Husam N. Alshareef, V.H.C. Watt, George A. Brown, Howard R. Huff, M.D. Jackson, A. Karamcheti
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
The electrical characteristics of NMOS capacitors fabricated using high quality, ultra-thin SiO2, grown by in-situ steam generation (SSG) in a rapid thermal processing system, and a clustered amorphous SI gate electrode is reported. The results show
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::758418a8a6c04902ede4305a57672a31
https://doi.org/10.1117/12.395732
https://doi.org/10.1117/12.395732
Autor:
Husam N. Alshareef, T. Y. Luo, A. Karamcheti, Dim-Lee Kwong, B. Evans, Howard R. Huff, V.H.C. Watt, M.D. Jackson, George A. Brown
Publikováno v:
30th European Solid-State Device Research Conference.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f5e8d3c742e3af83b87b50d556412bab
https://doi.org/10.1109/essderc.2000.194800
https://doi.org/10.1109/essderc.2000.194800
Autor:
B. Evans, Husam N. Alshareef, Dim-Lee Kwong, A. Karamcheti, Howard R. Huff, M.D. Jackson, George A. Brown, V.H.C. Watt, T. Y. Luo
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2000 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fc78388d7480b1e97387a55f82d81219
https://doi.org/10.7567/ssdm.2000.a-5-2
https://doi.org/10.7567/ssdm.2000.a-5-2
Autor:
G. Williamson, P. Lysaght, Peter Zeitzoff, Billy Nguyen, S. Kim, Kenneth Torres, V.H.C. Watt, J. A. Fair, G. Gale, M.D. Jackson, M. C. Gilmer, T. Y. Luo, George A. Brown, Carolyn F. H. Gondran, M. T. Schulberg, T. Tamagawa, Gennadi Bersuker, R. Amos, Howard R. Huff, D. Brady, Franz T. Geyling, J. Guan, L. Vishnubhotla
Publikováno v:
MRS Proceedings. 567
A design-of-experiments methodology was implemented to assess the commercial equipment viability to fabricate the high-K dielectrics Ta2O5, TiO2 and BST (70/30 and 50/50 compositions) for use as gate dielectrics. The high-K dielectrics were annealed
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0e0a21e1ee9f5cd28e4f9fbe0838ad4d
https://doi.org/10.1557/proc-567-323
https://doi.org/10.1557/proc-567-323
Autor:
Howard R. Huff, F. Shaapur, Kenneth Torres, Alain C. Diebold, A. Karamcheti, Peter Zeitzoff, X. Guo, L. Vishnubhotla, V.H.C. Watt, Gennadi Bersuker, T. Tamagawa, J. Guan, Xiaomu Wang, D. Brady, M.D. Jackson, George A. Brown, T. Y. Luo, Tso-Ping Ma, M. C. Gilmer, G. Gale
Publikováno v:
MRS Proceedings. 592
This paper describes the electrical and physical characteristics of ultrathin Jet Vapor Deposited (JVD) Silicon Oxynitride films. Capacitance-Voltage measurements indicate an equivalent oxide thickness (EOT) of less than 2 nm, taking into account the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::022a80a5bdcaebde1885916b3f31a4d8
https://doi.org/10.1557/proc-592-307
https://doi.org/10.1557/proc-592-307
Autor:
Christoph Steinbrüchel, Howard R. Huff, Husam N. Alshareef, T. Y. Luo, A. Karamcheti, V.H.C. Watt, M.D. Jackson
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
We examined ultrathin films produced by in-situ steam generation (ISSG), ISSG with NO anneal, ISSG with remote plasma nitridation (RPN), and rapid thermal oxidation (RTO). Capacitance-voltage measurements performed on these films indicated an equival
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::030542b1e9815a39632496108bd567c7
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-0036475333&partnerID=MN8TOARS
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-0036475333&partnerID=MN8TOARS
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.