Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"V.H. Compeán-Jasso"'
Publikováno v:
Infrared Physics & Technology. 79:32-35
p-GaInAsSb/n-GaSb junction with breakdown voltages as high as 38 V and abrupt breakdown characteristic have been fabricated by Liquid Phase Epitaxy. To obtain these characteristics the structures have been submitted to annealing processes just after
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::328e38cdfd988d1f25c83af5b1ef33a0
https://doi.org/10.1016/j.infrared.2016.09.008
https://doi.org/10.1016/j.infrared.2016.09.008
Autor:
A.Yu. Gorbatchev, V.A. Mishurnyi, F. de Anda, T. Prutskij, Yu. Kudriavtsev, V.H. Compeán-Jasso
Publikováno v:
Thin Solid Films. 548:168-170
Sn doped GaSb has been grown at 260 °C by liquid phase epitaxy. The experiments were done so as to determine if Sn could change its impurity type, from acceptor to donor, at such low growth temperature. It was found that Sn behaves as an acceptor ir
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::42720c0c8499a75fb2de0d1baf66306d
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2013.09.052
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2013.09.052
Autor:
G. Juárez-Díaz, F. de Anda, V.H. Compeán-Jasso, E. Momox-Beristain, J. Martínez-Juárez, V.A. Mishurnyi
Publikováno v:
Thin Solid Films. 520:700-702
It is shown that the conductivity of the substrate has a non negligible effect on the thickness and composition of epitaxial layers grown by Liquid Phase Epitaxy. The growth experiments have been done on the systems GaAs/GaAs, GaAlSb/GaSb and GaInAsS
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d42fe12cea5005dff1489f8c57f65ec2
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2011.01.352
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2011.01.352
Autor:
V.H. Compeán-Jasso, E. Momox Beristain, G. Juárez-Díaz, V.A. Mishurnyi, Víctor Hugo Méndez-García, J. Martínez-Juárez, F. de Anda, J. Olvera-Hernández
Publikováno v:
Thin Solid Films. 519:3029-3031
It is shown experimentally that the thickness and composition of Ga 1 − x Al x Sb layers grown by liquid phase epitaxy on Gasb substrates depend on the conductivity type of the substrates. To avoid experimental uncertainties that naturally happen f
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e16a511309efc8706d122092b895e241
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2010.12.018
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2010.12.018
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.