Zobrazeno 1 - 10
of 33
pro vyhledávání: '"V.G. Savitsky"'
Autor:
V.G. Savitsky, P.E. Storchun
Publikováno v:
Materials Science and Engineering: B. 44:297-300
We studied native defect formation in n-(Cd, Hg)Te bulk crystals and thin layers by non-equilibrium techniques, such as pulse laser irradiation and pulsed ohmic heating. The short-term annealing was performed in a vacuum by passing current directly t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d5700a866e1172a41d751dea1347e0eb
https://doi.org/10.1016/s0921-5107(96)01739-4
https://doi.org/10.1016/s0921-5107(96)01739-4
Autor:
V.G. Savitsky, L.G. Mansurov
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 161:201-204
Experimental results of the study of thin film structures by means of transition electron diffraction are presented. Deposition has been made by RF sputtering in Hg vapour with discharge localization in a quasi-closed volume. The condensation of HgCd
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7a75027290700d7b839d851ac266b3b6
https://doi.org/10.1016/0022-0248(95)00640-0
https://doi.org/10.1016/0022-0248(95)00640-0
Autor:
O.P Storchun, V.G Savitsky
Publikováno v:
Thin Solid Films. 317:105-107
The present investigation is devoted to the further study of the two-temperature evaporation–condensation–diffusion (ECD) method. Experiments have been performed to determine the Hg vapour pressure influence on rates of HgTe evaporation and conde
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::11ac6a804c7c040ebddd70f3482044fa
https://doi.org/10.1016/s0040-6090(97)00509-9
https://doi.org/10.1016/s0040-6090(97)00509-9
Publikováno v:
Applied Surface Science. :192-194
The article sets out to investigate spatial-time and spectral characteristics of laser erosive vapour-plasma torch (EVT), formed at the time of vaporization of mercury chalcogenides targets. Its influence on the synthesis processes and electrophysica
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::81fcfafe490711aaeacc6d3c2c676e28
https://doi.org/10.1016/0169-4332(95)00478-5
https://doi.org/10.1016/0169-4332(95)00478-5
Publikováno v:
Buildings (2075-5309); Jul2024, Vol. 14 Issue 7, p1905, 12p
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability 1996 36(4):559-559
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.