Zobrazeno 1 - 10
of 12
pro vyhledávání: '"V.F. Sinkevich"'
Autor:
I. O. Mayboroda, M. M. Krymko, J. V. Grishchenko, S.V. Korneev, M. L. Zanaveskin, I. A. Chernykh, S.M. Romanovskiy, I. S. Ezubchenko, A. A. Andreev, V.F. Sinkevich, M. Y. Chernykh
Publikováno v:
Technical Physics Letters. 46:211-214
GaN heterostructures on silicon substrates have been grown by metalorganic chemical vapor deposition. Transistors with the gate periphery of 1.32 mm are designed. The saturation power of the package die at a frequency of 1 GHz was 4 and 6.3 W at supp
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4e74585a50d94feb1e0113dcdc0c75bd
https://doi.org/10.1134/s1063785020030050
https://doi.org/10.1134/s1063785020030050
Publikováno v:
Electronic engineering Series 2 Semiconductor devices. :33-39
The article presents the results of performance testing of radiation-hardened operational amplifier with voltage feedback and a “Rail-to-Rail” output when exposed to γ-irradiation, as well as testing when exposed to high-energy particles. The Op
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e337018cbf433932a3399c0ba832445e
https://doi.org/10.36845/2073-8250-2020-256-1-33-39
https://doi.org/10.36845/2073-8250-2020-256-1-33-39
Autor:
Production Enterprise, Pulsar, Scientific, D.O. Vanichkin, Production Enterprise \\'Pulsar\\', I.Ya. Gantman, E.T. Avrasin, E.N. Vologdin, V.F. Sinkevich
Publikováno v:
Electronic engineering. Series 2. Semiconductor devices. 248:35-48
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::466a44d6ff5beac0e8678f6acd64771e
https://doi.org/10.36845/2073-8250-2018-248-1-35-48
https://doi.org/10.36845/2073-8250-2018-248-1-35-48
Autor:
A.P. Ledovskikh, S.V. Korneev, A.N. Maksimov, V.F. Sinkevich, Production Enterprise \\'Pulsar\\', A.A. Krasnov, Production Enterprise, Scientific, A.I. Ivashko, Pulsar, M.M. Krymko
Publikováno v:
Electronic engineering. Series 2. Semiconductor device. 244:4-12
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5c1f8211543928015608b26f7c4a528b
https://doi.org/10.36845/2073-8250-2017-244-1-4-12
https://doi.org/10.36845/2073-8250-2017-244-1-4-12
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.