Zobrazeno 1 - 10
of 49
pro vyhledávání: '"V.E. Rodionov"'
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Vol 20, Iss 3, Pp 344-348 (2017)
The luminescence spectra of SiC crystals and films with grain boundaries (GB) on the atomic level were observed. The GB spectra are associated with luminescence centers localized in areas of specific structural abnormalities in the crystal, without n
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/426fe099f1d746eabeb9c804cfb544d6
Autor:
V.E. Rodionov, A.M. Avdalyan, D.M. Konovalov, N.V. Boriskin, I.N. Tyurin, D.N. Protsenko, O.V. Zayratyants, M.L. Filipenko, I.P. Oskorbin, M.A. Koryukov
Publikováno v:
Arkhiv patologii. 84:5
Acute respiratory distress syndrome (ARDS) with COVID-19 has a worse prognosis than ARDS with other diseases. Mortality from ARDS with COVID-19 is 26.0 - 61.5%, and due to other causes - 35.3-37.2%.To find of the correlation between polymorphonuclear
Publikováno v:
Systems. Methods. Technologies. :121-128
Publikováno v:
Arkhiv patologii. 82:79
Autor:
V.E. Rodionov, O.S. Kleyman, V.S. Solovyov, P.O. Kravchenko, O.V. Solovyov, T.O. Usenko, V.N. Roman'ko, A.I. Levenberg, S.A. Talamanov, B.I. Makarenko
Publikováno v:
Kosmìčna nauka ì tehnologìâ. 7:101-106
Publikováno v:
Materials Science Forum. :577-580
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Materials Science and Engineering: B. 11:67-68
The world-wide interest in amorphous SiC is due to the possibilities of relatively simple preparation of layers of this material. The present paper is aimed at studying the feasibility of obtaining the SiC films with parameters suitable for manufactu