Zobrazeno 1 - 10
of 12
pro vyhledávání: '"V.E. Myachin"'
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 166:167-171
A thermodynamic approach was applied to the analysis of thermal etching of both binary and ternary III–V compounds in vacuo. Two different regimes of etching based on the congruent and on the non-congruent vaporization, may be distinguished. The la
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3948afb12a85b66861e698bb3e40660b
https://doi.org/10.1016/0022-0248(96)00040-1
https://doi.org/10.1016/0022-0248(96)00040-1
Autor:
S. Yu. Karpov, A. L. Ter-Martirosyan, V. P. Chaly, D. M. Demidov, I. Yu. Rusanovich, V.E. Myachin, A. P. Shkurko, Yu.V. Pogorelsky, G. A. Fokin
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 150:1350-1353
The results of statistical analysis of the characteristics of high-power semiconductor lasers grown by molecular beam epitaxy are presented. Three types of heterostructures are compared. It is shown that widening of a graded refractive index (GRIN) w
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a69831d0cb106e86a3c4fe2eb9d6e1e5
https://doi.org/10.1016/0022-0248(95)80158-9
https://doi.org/10.1016/0022-0248(95)80158-9
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 146:344-348
The reflection high energy electron diffraction (RHEED) intensity oscillation method is used for the analysis of nucleation kinetics of GaAs and AlAs during molecular beam epitaxy. The comparison shows that AlAs, in contrast to GaAs, reveals the grad
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::80fc2da30be81c48b96db21f56a78f2f
https://doi.org/10.1016/0022-0248(94)00556-7
https://doi.org/10.1016/0022-0248(94)00556-7
Publikováno v:
Surface Science. 314:79-88
Nucleation and the subsequent growth kinetics of GaAs during molecular beam epitaxy were studied by the RHEED intensity oscillation method. From the oscillation curve profile within one period, the evolution of a new monolayer of coverage was extract
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1c31e28250b5a219a20b22ef835fc347
https://doi.org/10.1016/0039-6028(94)90214-3
https://doi.org/10.1016/0039-6028(94)90214-3
Autor:
A P Shcurko, G. A. Fokin, A Yu Ostrovsky, V. P. Chaly, Yu.V. Pogorelsky, A. L. Ter-Martirosyan, V.E. Myachin, S. Yu. Karpov, M. I. Etinberg, I. Yu. Rusanovich, A Sokolov, N A Strugov
Publikováno v:
Semiconductor Science and Technology. 9:345-348
The influence of the growth temperature of ternary compounds on the degradation rate of AlGaAs/GaAs laser diodes was studied. The optimal temperature was found to be 700 degrees C. A further reduction in the degradation rate may be achieved by using
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1b46aa2963acbd0b2f5f137a20a0cb98
https://doi.org/10.1088/0268-1242/9/4/002
https://doi.org/10.1088/0268-1242/9/4/002
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 129:563-570
This paper presents the results of calculating the thermodynamic boundary for III–V compound (phosphides and arsenides) surface instability caused by liquid phase formation. Comparison with experiment shows that only for GaAs does the instability b
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fe4baf47332bfe3468f7ac983f5cd041
https://doi.org/10.1016/0022-0248(93)90492-f
https://doi.org/10.1016/0022-0248(93)90492-f
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.