Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"V.D. Tretjakov"'
Autor:
E.V. Kalinina, G.F. Kholujanov, D. Tsvetkov, V.A. Soloviev, A. S. Zubrilov, V.D. Tretjakov, Vladimir A. Dmitriev, Hua-Shuang Kong, M.P. Vatnik
Publikováno v:
Materials Science and Engineering: B. 46:259-262
Electrical and luminescent characteristics of epitaxial 4H-SiC p-n junctions, both prior and after ion doping (ID) with Al, were studied. The implantation of Al ions was performed in the top p-layer of the epitaxial p-n structures. It was found that
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::42b321d4b5caa5dbd97bbd27e848e39b
https://doi.org/10.1016/s0921-5107(96)01988-5
https://doi.org/10.1016/s0921-5107(96)01988-5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.