Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"V.D. Kirilov"'
Publikováno v:
Modern Electronic Materials, Vol 6, Iss 4, Pp 155-158 (2020)
The influence of the coupling effect on the parameters of field Hall elements based on thin-film MOS transistors has been studied. Analysis of the development of today’s microelectronics shows the necessity of developing the element base for high p
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7f1e2bbd54e04d56a7822780bc5dc4ca
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.