Zobrazeno 1 - 10
of 37
pro vyhledávání: '"V.C. Chang"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Keh-Ching Huang, Jinsong Tang, T. Fu, R. Kodali, Chan-Lon Yang, S. F. Tzou, V.C. Chang, Yonah Cho, Yi Cheng Chen, Hsiang-Ying Wang, L. Washington, Chin-Cheng Chien, Po-Lun Cheng, Chin-I Liao
Publikováno v:
Semiconductor Science and Technology. 22:S140-S143
Cyclical wet clean in DI-O 3 /SC1/DHF and low temperature bake in HCl/H 2 are presented as effective surface treatments for selective SiGe epitaxial deposition used to fabricate embedded SiGe pMOSFETs. The presented methods are most effective for dev
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::9d2f791db19a397d193a14d8ca6ab0e8
https://doi.org/10.1088/0268-1242/22/1/s33
https://doi.org/10.1088/0268-1242/22/1/s33
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.