Zobrazeno 1 - 10
of 118
pro vyhledávání: '"V.A. Skryshevsky"'
Autor:
Eugene Smirnov, V.A. Skryshevsky, A. Kaminski, S.O. Kolenov, S.V. Litvinenko, A. Laugier, Leonid M. Ilchenko
Publikováno v:
Sixteenth European Photovoltaic Solar Energy Conference
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f0657f798fb7af528c200bcf8e3b57ab
https://doi.org/10.4324/9781315074405-90
https://doi.org/10.4324/9781315074405-90
Publikováno v:
Sensors and Actuators A: Physical. 333:113309
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b23d4d13b37c3c7bcf0d3130ccc389a1
https://doi.org/10.1016/j.sna.2021.113309
https://doi.org/10.1016/j.sna.2021.113309
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Applied Surface Science. 225:170-175
The influence of a weak magnetic field on the behavior of structural defects in Si and GaAs has been studied by the methods of photoconductivity, magnetic susceptibility and microhardness. The impurity photoconductivity of mechanically damaged GaAs a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8375b5672dba8d4ee9b3f88bb8f15669
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2003.09.049
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2003.09.049
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 46:83-87
The key issues of localised electronic states in determining the behaviour of porous silicon (PS) devices is highlighted. We discuss recombination parameters of this material to be calculated starting from the study of electrical features of metal–
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9b0aa588e457b25c8bb61ad9d7e50728
https://doi.org/10.1016/s0038-1101(01)00260-x
https://doi.org/10.1016/s0038-1101(01)00260-x
Autor:
V.A. Skryshevsky, A. Laugier
Publikováno v:
Thin Solid Films. 346:261-265
The development of thin film solar cells on cheap substrates requires new approaches to enhance the cell efficiency. In the present work we analyse solar cells with porous silicon diffusor arrays in the form of pipes within the deposited silicon laye
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::dcd969e11f626fb479042473073dc16d
https://doi.org/10.1016/s0040-6090(98)01775-1
https://doi.org/10.1016/s0040-6090(98)01775-1
Publikováno v:
Thin Solid Films. 346:226-229
The effect of ultraviolet (UV) irradiation on the characteristics of metal-insulator-semiconductor (MIS) structures with various insulator layer thicknesses has been investigated using the methods of dark and light current-voltage, capacitance-voltag
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b07f0dbdd18cf84dcdf9cbd7cdf493c7
https://doi.org/10.1016/s0040-6090(98)01768-4
https://doi.org/10.1016/s0040-6090(98)01768-4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.