Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"V.A. Moskovskih"'
Autor:
P.V. Kasimkin, K.B. Fritzler, V.A. Moskovskih, A.P. Vasilenko, A.V. Kolesnikov, E.M. Trukhanov
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 468:457-461
Dislocation structure of the Ge single crystals grown by Czochralski method with low thermal gradient has been studied. The selective etching technique and the X-Ray transmission and reflection topography were used. Clearly defined non-uniform disloc
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::59dac35053298e3b9f8407cc009e4108
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.11.051
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.11.051
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 401:767-771
This paper considers the possibility of growth of dislocation-free germanium single crystals. This is achieved by reducing the temperature gradients at the level of ~1 K/cm and lower. Single germanium crystals 45–48 mm in diameter with a dislocatio
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::140560707a4dd07c6bfb4066d3bb73a3
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2014.01.072
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2014.01.072
Autor:
V.A. Moskovskih, V. A. Gridchin, Ya.V. Vasiliev, V.N. Shlegel, V. N. Zhdankov, P.V. Kasimkin, O.I. Podkopaev
Publikováno v:
Crystallography Reports. 59:291-295
The possibility of growing germanium single crystals under low temperature gradients in order to produce a dislocation-free material has been studied. Germanium crystals with a dislocation density of about 100–200 cm−2 have been grown in a system
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4f36e0496e93d1146115fbb7ed24bd41
https://doi.org/10.1134/s1063774514020163
https://doi.org/10.1134/s1063774514020163
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Roberto Fornari
Single Crystals of Electronic Materials: Growth and Properties is a complete overview of the state-of-the-art growth of bulk semiconductors. It is not only a valuable update on the body of information on crystal growth of well-established electronic
