Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"V.A. Ievtukh"'
Autor:
V.A. Ievtukh
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Vol 19, Iss 1, Pp 116-123 (2016)
In this work, the influence of elevated temperatures on charge trapping in Si nanoclusters located in oxide layer of MOS structure has been comprehensively studied. The samples with one layer of nanocrystals in the oxide have been studied using the m
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/07943b6dba2744319616116967fc3ce1
Electron transport through composite SiO2(Si)&FexOy(Fe) thin films containing Si and Fe nanoclusters
Autor:
A.Yu. Kizjak, A.A. Evtukh, O.L. Bratus, S.V. Antonin, V.A. Ievtukh, O.V. Pylypova, A.K. Fedotov
Publikováno v:
Journal of Alloys and Compounds. 903:163892
Publikováno v:
Advanced Materials Research. :1118-1123
In the paper a measurement technique for study main technical and physical parameters of nanocluster non-volatile memory capacitance cell is presented. The charging/discharging process features associated with nanoclusters (nanocrystals) incorporated
Publikováno v:
Journal of Non-Crystalline Solids. 354:4278-4281
Nanocomposite SiO2(Si) films containing Si nanocrystals (NCs) in a SiO2 dielectric matrix obtained through (i) plasma enhanced chemical vapor deposition (PE CVD) or (ii) pulse laser deposition (PLD) have been investigated as a medium for charge stora
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.