Zobrazeno 1 - 10
of 52
pro vyhledávání: '"V. Skryshevsky"'
Self-regulated hydrogen generation with the use of nano-powders: application for portable fuel cells
Publikováno v:
Physical Sciences and Technology, Vol 5, Iss 1-2 (2018)
Self-regulated hydrogen production at room temperature and atmosphere pressure is described in details. Basic idea of our approach is based on a precise auto-tuning of the oxidizing aqueous solution arrival onto hydrogenated silicon or aluminum nano-
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7d1a0015f53e43cf8ed11bc625101740
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Silicon. 14:12599-12605
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2765f89c514e50e48aff8dd4672cca76
https://doi.org/10.1007/s12633-022-01959-2
https://doi.org/10.1007/s12633-022-01959-2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Sensor Electronics and Microsystem Technologies. 5:28-38
An island type palladium film — silicon diode hydrogen sensor has been developed applying thin (15-75 nm) nanoporous silicon as an intermediate sensitive layer. Using a thermal Pd deposition into porous silicon allows to vary the size and morpholog
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e4829ef8f0d236681152e33183bce2c9
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2008.2.114425
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2008.2.114425
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
V. Makhnjuk, A. I. Senkevich, A. P. Shpak, E. Buzaneva, V.I. Strikha, T. Vdovenkova, S. Litvinenko, V. V. Nemoshkalenko, V. Skryshevsky, P. Shevchuk
Publikováno v:
Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. 68:707-711
The influence of chemically active metal Al deposition on Ti - oxidized silicon interface at 300–430 C has been studied. The results of TiSi interface investigation after Al deposition on Ti layer and following annealing are compared with the co
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c1fb47ae671e1d016a5d73f988681187
https://doi.org/10.1016/0368-2048(94)02178-3
https://doi.org/10.1016/0368-2048(94)02178-3