Zobrazeno 1 - 10
of 91
pro vyhledávání: '"V. Saltas"'
Publikováno v:
Fracture and Structural Integrity, Vol 11, Iss 40, Pp 1-17 (2017)
Rock fracture mechanics has been widely applied to blasting, hydraulic fracturing, mechanical fragmentation, rock slope analysis, geophysics, earthquake mechanics and many other science and technology fields. Development of failure in brittle materia
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/56204b6095fc419e9ba39e92ffa26b82
Autor:
I. Stavrakas, D. Triantis, Z. Agioutantis, S. Maurigiannakis, V. Saltas, F. Vallianatos, M. Clarke
Publikováno v:
Natural Hazards and Earth System Sciences, Vol 4, Iss 4, Pp 563-567 (2004)
The spontaneous electrification of marble samples was studied while they were subjected to uniaxial stress. The Pressure Stimulated Current (PSC) technique was applied to measure the charge released from compressed Dionysos marble samples, while they
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/522fdc50ff8e4ea49d54baa9b4ab192b
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 29:12022-12027
In the present work, magnesium diffusion in silicon studied recently in the temperature range 600–1200 °C (Astrov et al. in Phys Status Solidi A 214:1700192, 2017; Shuman et al. in Semiconductors 51:5, 2017) is investigated on the basis of the cB
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d16067c0a6a9360d597d98918ccaa10c
https://doi.org/10.1007/s10854-018-9306-7
https://doi.org/10.1007/s10854-018-9306-7