Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"V. Pavan Kishore"'
Fermi-level unpinning and low resistivity in contacts to n-type Ge with a thin ZnO interfacial layer
Autor:
Prashanth Paramahans Manik, Mathew Abraham, Saurabh Lodha, Aneesh Nainani, Prasenjit Ray, Udayan Ganguly, Yi-Chiau Huang, V. Pavan Kishore, R. K. Mishra
Publikováno v:
IndraStra Global.
We report low resistance Ohmic contacts on n-Ge using a thin ZnO interfacial layer (IL) capped with Ti. A 350 degrees C post metallization anneal is used to create oxygen vacancies that dope ZnO heavily n-type (n(+)). Rectifying Ti/n-Ge contacts beco
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::7986720e7db38a1dc8c410f26cabbd42
https://igi.indrastra.com/items/show/58249
https://igi.indrastra.com/items/show/58249
Publikováno v:
IndraStra Global.
We report a simple method of forming Ohmic contacts to n and p-type germanium (Ge) simultaneously using Au nanocrystals embedded in Ti contact metal. The electric field due to the work-function difference of Ti and Au reduces the tunneling resistance
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::8a7db2680aa2e1635c8d16e1b5dc5bcd
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.